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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的 MT41K128M16JT-125 xIT:K 是一款高性能的DDR3 SDRAM存储器,容量为2Gb(128M x 16),采用80-ball FBGA封装,工作电压为1.35V或1.5V,支持节能型DDR3L标准,时序等级为125(即1.25ns,对应1600Mbps数据速率)。该器件广泛应用于对稳定性、功耗和处理速度有较高要求的嵌入式系统和工业级设备中。 典型应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、企业级服务器内存模块、工业自动化控制系统、高端嵌入式处理器平台(如基于FPGA或ARM架构的工控主板)、医疗成像设备、车载信息娱乐系统及航空电子设备等。其宽温度范围(通常为–40°C 至 +85°C)和高可靠性设计,使其特别适用于严苛环境下的工业与通信应用。 此外,该型号常用于需要长期供货保障和稳定批次一致性的项目,适合注重产品生命周期管理的客户。由于其xIT:K编码代表特定的测试与筛选流程(如高温老化测试),具备更高的品质控制等级,因此也适用于对故障率敏感的关键系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR3 SDRAM 2GBIT 800MHZ FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT41K128M16JT-125 XIT:K |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 96-FBGA(8x14) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | DDR3L SDRAM |
存储容量 | 2G(128M x 16) |
封装/外壳 | 96-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 95°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
速度 | 800MHz |